中國儲能網訊：國電南瑞(600406.SH)公布，為加快公司產業(yè)鏈延伸和產業(yè)升級，增強企業(yè)核心競爭力，提高募集資金使用效率和效果，降低募投項目投資風險，公司擬與國家電網有限公司(“國網公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網研究院有限公司(“聯(lián)研院”)共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司(以工商部門核準名稱為準，“合資公司”)，其中，國電南瑞以“IGBT模塊產業(yè)化項目”部分募集資金55864.45萬元出資，占合資公司69.8305625%股權，聯(lián)研院以技術作價出資24135.55萬元(該出資技術的評估值已經國有資產管理單位備案)，占合資公司30.1694375%股權。
上述事項將增加“IGBT模塊產業(yè)化項目”的實施主體暨對外關聯(lián)投資，相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國家產業(yè)政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件，技術難度大、研發(fā)及產線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業(yè)壟斷，目前國內高端人才缺乏，國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務。聯(lián)研院是國網公司直屬科研單位，國內首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網關鍵技術和設備開發(fā)的高端科研機構。聯(lián)研院于2010年開始研究功率半導體器件，擁有100多人的技術團隊和先進的功率器件中試線，是國內少數掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域，聯(lián)研院承擔國家科技重大專項（02專項）“國產高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應用工程”等攻關任務，自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的設計、制備等核心技術，打破了國外技術壟斷，成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品，實現了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。
通過與聯(lián)研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發(fā)及產品批量化生產的風險，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業(yè)化進程。為加快公司產業(yè)鏈延伸和產業(yè)升級，增強企業(yè)核心競爭力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項目投資風險，公司擬以“IGBT模塊產業(yè)化項目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設立合資公司，并增加合資公司為該項目的實施主體。
公司此次擬增加“IGBT模塊產業(yè)化項目”的實施主體，以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資與聯(lián)研院以技術作價出資共同投資設立合資公司,即由該合資公司實施IGBT模塊產業(yè)化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額55864.45萬元，占“IGBT模塊產業(yè)化項目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。
